燒成試驗前 Before

在惰性氣體爐中於 1450°C 燒製
※在氧化環境中燒製時，表面會產生 SiO2 膜
左：聿光大氣壓燒結產品、右：低純度浸漬 SiC，耐熱溫度 1350°C